Beschreibung
Technische Parameter
Technische Spezifikationen
|
Herstellung |
ABB |
|
Modell |
5SHY3545L0009 |
| Teilenummer | 3BHB013085R0001 |
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Beschreibung |
IGCT -Modul |
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Herkunft |
Schweizer |
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Dimension |
45*30*10 cm |
|
Gewicht |
3 kg |
Produktdetails
Das ABB 5SHY3545L0009 -Kraftwerksmodul ist ein integriertes Gate -.
Merkmale:
Hochleistungsdichte: Verwendet fortschrittliche IGCT -Chips, um eine hohe Leistungsdichte zu erreichen und die Modulgröße zu verringern.
Schnelles Schalten: Nanosekundenschaltgeschwindigkeiten verbessern die systemdynamische Reaktion.
Hohe Zuverlässigkeit: Strenge Qualitätskontrolle und Zuverlässigkeitstests gewährleisten einen stabilen Modulbetrieb in rauen Umgebungen.
Niedrig auf - Zustandspannungsabfall: Reduziert den Stromverlust und verbessert die Systemeffizienz.
Ausgezeichnete elektromagnetische Kompatibilität: Technologie für fortschrittliche Verpackungen und Schaltungsdesign minimieren elektromagnetische Interferenzen.
Merkmale:
Hochleistungsdichte: Verwendet fortschrittliche IGCT -Chips, um eine hohe Leistungsdichte zu erreichen und die Modulgröße zu verringern.
Schnelles Schalten: Nanosekundenschaltgeschwindigkeiten verbessern die systemdynamische Reaktion.
Hohe Zuverlässigkeit: Strenge Qualitätskontrolle und Zuverlässigkeitstests gewährleisten einen stabilen Modulbetrieb in rauen Umgebungen.
Niedrig auf - Zustandspannungsabfall: Reduziert den Stromverlust und verbessert die Systemeffizienz.
Ausgezeichnete elektromagnetische Kompatibilität: Technologie für fortschrittliche Verpackungen und Schaltungsdesign minimieren elektromagnetische Interferenzen.
IGCT -Module aus verschiedenen Marken variieren in der Leistung:
1. Infineon
Infineon ist führend in der Power -Halbleitertechnologie. In den IGCT -Modulen werden wahrscheinlich eine fortschrittliche Grabenstopptechnologie (Trench Field Stop) verwendet, wodurch niedrige Leitungsverluste und ein hohes Potenzial für die Schaltfrequenz angeboten werden. Beispielsweise weisen einige Infineon -IGBT -Module bei mittleren bis hohen Schaltfrequenzen (z. B. mehr als 10 kHz) niedrige Schaltverluste auf. Ihre umfassende Verwendung fortschrittlicher Interconnect -Technologien wie.xt betont auch die Leistungszyklus -Fähigkeiten und -zuverlässigkeit, insbesondere in hohen - Temperaturanwendungen. Während spezifische Leistungsdaten für Infineons IGCT -Module nicht verfügbar sind, wird angesichts ihrer umfangreichen Erfahrung in der Power -Halbleiter nicht erwartet, dass ihre Leistung hervorragend ist.
2. Mitsubishi
Mitsubishi ist spezialisiert auf die CSTBT ™ -Technologie (Bipolar Transistor) der Trägerspeicher, die das Gleichgewicht zwischen Schaltverlusten und auf - State Spannungsabfall (VCE (SAT)) optimiert. Zum Beispiel reduziert das 1200V/137A -IGBT -Modul von Mitsubishi seine Sättigungsspannung (VCE (SAT)) auf 1,02V, ohne die Spannung zu beeinträchtigen, indem eine "Trägerspeicherschicht" zwischen dem N - -Buffer und P {- -Kollektor hinzugefügt wird. Sein IGCT -Modul erbt wahrscheinlich einen ähnlichen Niedrigen bei - Zustandsspannungsabfallvorteils, wodurch die Leitungsverluste während des Nennstrombetriebs reduziert und die Effizienz des Gesamtsystems verbessert wird.
3. ABB
Könnten Sie als Beispiel das 5SHY4045L0006 -Modul von ABB einnehmen? Dies ist eine IGCT High - Spannungs -Wechselrichterkarte. Es wird einen hohen - -Pe Speed -Prozessorchip verwendet, der in der Lage ist, große Mengen an Daten- und Steuerlogik schnell zu verarbeiten, um die echte Zeitsystemstabilität zu gewährleisten. Es verfügt auch über ein großes Kapazitätsgedächtnis von -, unterstützt mehrere Kommunikationsprotokolle und Schnittstellen und bietet Schutzfunktionen wie Überstrom, Überspannung und Unterspannung, was zu einer hervorragenden Leistung führt.
1. Infineon
Infineon ist führend in der Power -Halbleitertechnologie. In den IGCT -Modulen werden wahrscheinlich eine fortschrittliche Grabenstopptechnologie (Trench Field Stop) verwendet, wodurch niedrige Leitungsverluste und ein hohes Potenzial für die Schaltfrequenz angeboten werden. Beispielsweise weisen einige Infineon -IGBT -Module bei mittleren bis hohen Schaltfrequenzen (z. B. mehr als 10 kHz) niedrige Schaltverluste auf. Ihre umfassende Verwendung fortschrittlicher Interconnect -Technologien wie.xt betont auch die Leistungszyklus -Fähigkeiten und -zuverlässigkeit, insbesondere in hohen - Temperaturanwendungen. Während spezifische Leistungsdaten für Infineons IGCT -Module nicht verfügbar sind, wird angesichts ihrer umfangreichen Erfahrung in der Power -Halbleiter nicht erwartet, dass ihre Leistung hervorragend ist.
2. Mitsubishi
Mitsubishi ist spezialisiert auf die CSTBT ™ -Technologie (Bipolar Transistor) der Trägerspeicher, die das Gleichgewicht zwischen Schaltverlusten und auf - State Spannungsabfall (VCE (SAT)) optimiert. Zum Beispiel reduziert das 1200V/137A -IGBT -Modul von Mitsubishi seine Sättigungsspannung (VCE (SAT)) auf 1,02V, ohne die Spannung zu beeinträchtigen, indem eine "Trägerspeicherschicht" zwischen dem N - -Buffer und P {- -Kollektor hinzugefügt wird. Sein IGCT -Modul erbt wahrscheinlich einen ähnlichen Niedrigen bei - Zustandsspannungsabfallvorteils, wodurch die Leitungsverluste während des Nennstrombetriebs reduziert und die Effizienz des Gesamtsystems verbessert wird.
3. ABB
Könnten Sie als Beispiel das 5SHY4045L0006 -Modul von ABB einnehmen? Dies ist eine IGCT High - Spannungs -Wechselrichterkarte. Es wird einen hohen - -Pe Speed -Prozessorchip verwendet, der in der Lage ist, große Mengen an Daten- und Steuerlogik schnell zu verarbeiten, um die echte Zeitsystemstabilität zu gewährleisten. Es verfügt auch über ein großes Kapazitätsgedächtnis von -, unterstützt mehrere Kommunikationsprotokolle und Schnittstellen und bietet Schutzfunktionen wie Überstrom, Überspannung und Unterspannung, was zu einer hervorragenden Leistung führt.